مقایسه توانمندی‌ها و محدودیت‌های ترانزیستور تک الکترونی و ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی به منظور بکارگیری در مبدل‌های توان در ابعاد نانو
ترانزیستور تک الکترونی SET و ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی CNTFET گزینه های مناسبی برای جایگزینی تکنولوژی CMOS در نانومبدلهای پردازش توان می باشند. قابلیت کوچک سازی در ابعاد نانو، فرکانس کلیدزنی بالا و همچنین تلفات هدایتی و کلیدزنی پایین برخی از ویژگیهای بارز آنها در این کاربرد است. این دو گزینه برای بکارگیری بعنوان کلید دارای نقاط قوت و ضعفی نسبت به هم هستند که در این تحقیق مورد بحث قرار می گیرند. مقایسه بر مبنای شاخص های مهم یک کلید فرکانس بالا همانند سرعت کلیدزنی، تلفات هدایتی و کلیدزنی، کنترل پذیری، قابلیت اعتماد در شرایط کاری مختلف و پارامترهای مختلف الکتریکی صورت گرفته و با مرجعیت کلیدهای مبتنی بر سیلیکون می باشد.
قنبری, تیمور, & حسینی, زهرا. (1396). مقایسه توانمندی‌ها و محدودیت‌های ترانزیستور تک الکترونی و ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی به منظور بکارگیری در مبدل‌های توان در ابعاد نانو. دنیای نانو, 13(49), 4-11.
MLA
تیمور قنبری; زهرا حسینی. "مقایسه توانمندی‌ها و محدودیت‌های ترانزیستور تک الکترونی و ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی به منظور بکارگیری در مبدل‌های توان در ابعاد نانو". دنیای نانو, 13, 49, 1396, 4-11.
HARVARD
قنبری, تیمور, حسینی, زهرا. (1396). 'مقایسه توانمندی‌ها و محدودیت‌های ترانزیستور تک الکترونی و ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی به منظور بکارگیری در مبدل‌های توان در ابعاد نانو', دنیای نانو, 13(49), pp. 4-11.
VANCOUVER
قنبری, تیمور, حسینی, زهرا. مقایسه توانمندی‌ها و محدودیت‌های ترانزیستور تک الکترونی و ترانزیستور اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی به منظور بکارگیری در مبدل‌های توان در ابعاد نانو. دنیای نانو, 1396; 13(49): 4-11.
)
