آزمایشگاه نانو فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه خوارزمی، تهران
چکیده
در این مقاله مقاومت تماسی ویژه فلز آلیاژی AuGeNi با نانوساختار ZnO نوع n به کار رفته در دیود شاتکی با روش طرح TLM گزارش شده است. لایه نازک اکسید روی از طریق لایه نشانی چرخشی سل سنتز شده، روی زیرلایه سیلیکانی تهیه گردید. بیشینه جذبی سل تهیه شده در طول موج 290nm مشاهده شد و پهنای گاف نواری محاسبه شده 4.28eV بدست آمد. سپس لایه نازک آلیاژی AuGeNi با روش بخار فیزیکی پس از انجام مراحل لیتوگرافی نوری به صورت طرح TLM خطی روی نمونه لایه نشانی شد مشخصه یابی I-V با روش سنجش چهار پروبی انجام گرفت و اندازه گیری مقاومت تماسی ویژه از طریق نمودار مقاومت کل بین پدهای فلزی مجاور بر حسب فاصله جدایی آنها، میسر گردید. مقاومت تماسی ویژه 71.3Ω − cm2 و مقاومت صفحه ای 150Ω محاسبه شد.
)
