1
آزمایشگاه فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
2
آزمایشگاه فوتونیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران آزمایشگاه نانو فوتونیک، پژوهشکده علوم کاربردی، دانشگاه خوارزمی، تهران
چکیده
یکی از دغدغههای اصلی حوزهی ادوات فوتوولتاییکی در سالهای اخیر جذب فوتون بیشتر و افزایش راندمان است. اما با توجه به محدودیتهای پیشرو برای رسیدن به این هدف باید از بعضی حدود عبور کرد و طراحیهای جدیدی را ارائه داد. هدف از طراحیهای جدید رسیدن به قطعاتی است که در آنها فوتون در لایهی جاذب قطعه حبس شود تا بتوانیم نحوهی رفتار فوتونهای حبس شده را به کنترل خود درآوریم و از این طریق به سیگنالی مطلوب برسیم. اما برای رفع محدودیتهای پیشرو باید فیزیک حاکم بر رفتار نور در مواجهه با نانو ساختارهای مواد متفاوت را بدانیم. پیش نیاز دستیابی به این توانایی شناخت دقیق رفتار نور در حضور لایههای مختلف و یا المانهایی است که در طول فرآیندلایهنشانی از آنها استفاده میکنیم. از طرفی با توجه به ابعاد طول موجی نور که در محدوده چند صد نانومتر قرار دارد، ناگزیر به طراحی ساختارهایی با ابعاد نانو برای گیراندازی و مدیریت نور هستیم، چرا که وقتی از نانوساختارها برای هدایت نور استفاده میکنیم در برهمکنش نور با آنها بحث تشدید مطرح می شود. اما میتوان از راههای دیگری نیز به گیراندازی نور پرداخت، مثلا ایجاد شیار بر روی سطح قطعه. به مجموع این فعالیتها برای کنترل رفتار نور، مدیریت نور گفته میشود.