انجمن نانوفناوری ایران دنیای نانو 2476-5945 14 50 2018 03 21 ساخت و بررسی خواص دی الکتریک سرامیک‌های اکسیدروی آلائیده به هافنیوم 23 26 46072 FA عاطفه کارخانه پردیس علوم پایه، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان ساناز علمداری پردیس علوم پایه، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان مجید جعفرتفرشی پردیس علوم پایه، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان Journal Article 2020 10 07 در این کار پژوهشی، برای اولین بار با تکنولوژی ساده سل ژل، اثر ناخالصی عنصر ارزان قیمت و غیرسمی هافنیوم بر روی خواص دی‌الکتریکی نانوذرات اکسیدروی بررسی شد و ثابت‌های دی‌الکتریک با بالاترین مرتبه به دست آمدند. ویژگی های ساختاری اکسیدروی آلایئده به هافنیوم با اندازه بلورک 0.5 تا 1 میکرومتر بررسی شد. این ساختارها با استفاده از پراش پرتوایکس XRD و میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و همچنین میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM بررسی گردیدند. حضور هافنیوم توسط مشخصه‌یابیEDX در ساختار تایید شد. نتایج بدست آمده نشان دادند که سرامیکهای ZnO:Hf با بالاترین ثابت دی-الکتریک به دست آمده تا کنون ازمرتبه 1011 ، برای آینده نانو الکترونیک میتوانند بسیار امید بخش باشند.<br />   https://donyayenano.ir/article_46072_24648affebbc9bd26c25ca2204036b60.pdf