%0 Journal Article %T بررسی مدهای فونونی نوری و شاخص شایستگی نانوصفحات اکسید گرافن جهت کاربرد در دستگاه‌های سوئیچینگ نوری %J دنیای نانو %I انجمن نانوفناوری ایران %Z 2476-5945 %A دهقانی, زهرا %A استواری, فاطمه %A فرجی الموتی, عباس %D 2022 %\ 11/22/2022 %V 18 %N 68 %P 22-27 %! بررسی مدهای فونونی نوری و شاخص شایستگی نانوصفحات اکسید گرافن جهت کاربرد در دستگاه‌های سوئیچینگ نوری %K نانوصفحات اکسید گرافن %K طیف‌سنجی فروسرخ تبدیل فوریه %K روابط کرامرز-کرونیگ %K شاخص شایستگی %K جاروب Z %R %X برای مشخصه ­یابی ساختار نانوصفحات اکسید گرافن، از آنالیز پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی-عبوری (TEM)، و طیف­سنجی رامان و فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR) استفاده شده است. نتایج، نشان دهنده وجود لایه های نازک اکسید گرافن است که دارای ساختار کریستالی مناسب با پیک حدود 10 درجه و نسبت ID/IG حدود 0.99 است. همچنین، با استفاده از روابط کرامرز-کرونیگ و به­دست آوردن ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضرایب دی ­الکتریک آنها با آنالیز طیف­سنجی فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR)، مدهای فونونی نوری، طولی و عرضی، برای این ماده محاسبه شد. سپس، ویژگی­های نوری غیرخطی با استفاده از روش جاروب Z تک پرتو با استفاده از لیزر Nd:YAG پیوسته با طول موج 532 نانومتر به ­دست آمد. نتایج جاروب Z  نشان می­ دهد که نانوصفحات اکسید گرافن دارای پدیده خود همگرایی و جذب دوفوتونی است. همچنین، یک شاخص شایستگی (FOM) مناسب با این نانوصفحات به­ دست آمد. %U https://donyayenano.ir/article_698009_bd2a5eb91128866dd12e60c934191ffd.pdf