ساخت و بررسی خواص دی الکتریک سرامیک‌های اکسیدروی آلائیده به هافنیوم

نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

پردیس علوم پایه، دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان

چکیده

در این کار پژوهشی، برای اولین بار با تکنولوژی ساده سل ژل، اثر ناخالصی عنصر ارزان قیمت و غیرسمی هافنیوم بر روی خواص دی‌الکتریکی نانوذرات اکسیدروی بررسی شد و ثابت‌های دی‌الکتریک با بالاترین مرتبه به دست آمدند. ویژگی های ساختاری اکسیدروی آلایئده به هافنیوم با اندازه بلورک 0.5 تا 1 میکرومتر بررسی شد. این ساختارها با استفاده از پراش پرتوایکس XRD و میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و همچنین میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM بررسی گردیدند. حضور هافنیوم توسط مشخصه‌یابیEDX در ساختار تایید شد. نتایج بدست آمده نشان دادند که سرامیکهای ZnO:Hf با بالاترین ثابت دی-الکتریک به دست آمده تا کنون ازمرتبه 1011 ، برای آینده نانو الکترونیک میتوانند بسیار امید بخش باشند.
 

کلیدواژه‌ها


[1]L. Xuhai et all, Materials Research Bulletin, 68, 87–91, (2015).
[2] L. Xuhai et all, J. Mater. Chem. A, 2, 16740–16745, (2014).
[3]. K. C. Kao, Dielectric Phenomena In Solids, 44,51-77, (2004).
[4]. C.C. Barry, N.M. Grant, Ceramic Materials, Science and Engineering, 546-548, 556-560 , (2007).
[5]. R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials, 3rd Ed, pp.185-189 , Springer, USA, 2001.
[6]. A. J. Moulson, J. M. Herbert, Electroceramics, 243-260,323-329 , John Wiley & Sons Ltd, England, 2003.
[7]. C.C. Homes, T. Vogt, S.M. Shapiro, S. Wakimoto, A.P. Ramirez, Science 293 673–676, (2001).
[8]. J. Shi, M. B. Starr and X. D. Wang, Adv. Mater, 24, 4683–4691, (2012).
[9] R. E.  Newnham, Properties of Materials : Anisotropy, Symmetry, Structure, Oxford University Press, (2004).
[10] K. C. Kao, Dielectric phenomena in solids, Oxford University Press, (2004).