بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی تحت تاثیر "پدیده فوتورسانش پایدار PPC" در ساختار ناهمگون AlxGa1−xN/AlN/GaN

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود

چکیده

در این مقاله به مطالعه نظری وابستگی تحرک پذیری الکترونی به تراکم گاز الکترون دو بعدی 2DEG در ساختار ناهمگون AlxGa1-xN/GaN 25/0 و 15/0x تحت تاثیر پدیده فوتورسانش پایدار در دمای پایین K 6/1 پرداخته‌ایم. نتایج تحلیل ما مبتنی بر انواع سازوکار‌های پراکندگی و قاعده ماتیسن حاکی از آن است که در تراکم‌های الکترونی پایین، پراکندگی دررفتگی‌ها سهم غالب را در کنترل تحرک گاز الکترون دو بعدی برای هر دو نمونه بر عهده داشته‌اند؛ اما در تراکم‌های بالاتر، نه تنها دررفتگی‌ها بلکه سازوکار‌های "ناخالصی‌های بخشنده‌های از راه دور" و "ناهمواری‌های سطح مشترک" نیز بر تحرک الکترون‌ها تاثیر می‌گذارند. محاسبات ما همچنین نشان می‌دهد که با کاهش کسر مولی آلومینیوم در لایه سد AlGaN، تراکم دررفتگی‌ها کاهش یافته و منجر به تحرک پذیری الکترونی بالاتری شده است.
 

کلیدواژه‌ها