1
باشگاه پژوهشگران و نخبگان جوان، واحد لاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
2
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد بوئین -زهرا، گروه مهندسی برق، بوئین-زهرا، ایران
چکیده
بنا به قانون مور تعداد ترانزیستورهای یک تراشه در هر بازه ی زمانی دو ساله دوبرابر میشوند. تراکم فزاینده ی ترانزیستورها مشکل افزایش دمای افزاره را در پی دارد. یک راهبرد جهت غلبه بر این مشکل کوچک کردن اندازه ی ترانزیستورها است. اما کاهش مداوم اندازه سبب افت کارآیی سیلیکون شده و مشکلاتی مانند تونل زنی الکترون را به دنبال دارد. گرافن ماده ای است که تمام پتانسیل های لازم را برای آنکه بتواند جایگزین سیلیکون در صنعت تولید ادوات نیمه هادی شود دارا است. ساختار اتمی گرافن سبب بهبود خواص الکتریکی، نوری، مکانیکی و حرارتی می شود. پژوهش ها نشان میدهند که استفاده از این ماده به عنوان ماده ی کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی منجر به بهبود عملکرد افزاره می گردد. در این نوشتار به بررسی خواص گرافن و کاربرد آن در ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی میپردازیم.
)
