بررسی سطوح انرژی عمقی و سطحی در نانوساختارهای اکسید روی

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

دانشگاه خوارزمی، دانشکده فیزیک،آزمایشگاه نانوفوتونیک

چکیده

در این تحقیق به توضیح و بررسی مفاهیم کلی سطوح انرژی سطحی و عمقی به‌عنوان یکی از عمده مشکلاتی که موجب عدم شرکت صحیح پذیرنده‌ها در خواص الکتریکی دلخواه در شبکه نیم‌رساناهای دارای گاف انرژی پهن و به‌طور مشخص اکسیدروی نوع مثبت می‌گردد، پرداخته و سپس نگاهی بر سطوح انرژی هریک از نقصان‌های ذاتی شبکه اکسیدروی خواهد شد. به نظر می‌رسد دقت در جایگاه قرارگیری تراز انرژی دوپنت‌های انتخابی می‌تواند سهم بسزایی در بهینه‌سازی کیفیت نانو ساختارهای اکسیدروی داشته باشد.

کلیدواژه‌ها


1. F.Lu, W.Cai, Y.Zhang, ZnO Hierarchical Micro/Nanoarchitectures: Solvothermal Synthesis and Structurally Enhanced Photocatalytic Performance, advanced functional materials 18 (2009) 1047–1056 2. J.C. Fan,K.M. Sreekanth , Z. Xie d, S.L. Chang e, K.V. Rao, p-Type ZnO materials: Theory, growth, properties and devices, Progress in Materials Science 58 (2013) 874–985 3. C. H. Park, S. B. Zhang, Su-Huai Wei, Origin of p-type doping difficulty in ZnO: The impurity perspective, PHYSICAL REVIEW B 66 (2002) 0732021-3 4. ZnO Nanostructures for optoelectronics: material properties & device applications 5. J. C. Simpson, J. F. Cordaro, Characterization of deep levels in zinc oxide, J. Appl. Phys. 63(1988)1781-1783 6. F.C.Beyer, deep level in SiC, thesis, 2011 7. V.Avrutin, D.Silversmith, Doping asymmetry problem in ZnO: current status and outlook, Proceedings of the IEEE, (2010) 8. N.Alvi, Luminescence Properties of ZnO Nanostructures Nanostructures and Their Implementation as white light emitting diodes (LEDs), thesis, (2011) 9. J.Li, S.Wei, Design of shallow acceptors in ZnO: First-principles band-structure calculations, Physical review, (2006) 081201-1-4 10. J.G.Reynolds, C.L.Reynolds, A.Mohanta, J.F.Muth, J.E.Rowe, Shallow acceptor complexes in p-type ZnO, APPLIED PHYSICS LETTERS (2013) 1521141-4 11. Y.Gai,G.Tang,J.Li, Formation of shallow acceptors in ZnO doped by lithium with the addition of nitrogen, journal of physics and chemistry of solids (2011) 12. K.Kobayashi, Y.Tomita, Y.Maeda, H.Haneda, Shallow Li-acceptor levels in ZnO films codoped with Li and F atoms, PSS, (2008) 13. J.Chu, A.Sher, Device Physics of Narrow Gap Semiconductors,book,springer (2010)