شماره 50-بهار 1397
ICNN2018
شماره 51-تابستان 1397
فهرست

ساخت و بررسی خواص دی الکتریک سرامیک¬های اکسیدروی آلائیده به هافنیوم

نشریه: شماره 50-بهار 1397 - مقاله 4   صفحات :  23 تا 26



کد مقاله:
50-04

مولفین:
مجید مجید جعفر تفرشی: سمنان - فیزیک
ساناز علمداری: دانشگاه سمنان - فیزیک
عاطفه عاطفه کارخانه: دانشگاه سمنان - فیزیک


چکیده مقاله:

در این کار پژوهشی، برای اولین بار با تکنولوژی ساده سل ژل، اثر ناخالصی عنصر ارزان قیمت و غیرسمی هافنیوم بر روی خواص دی¬الکتریکی نانوذرات اکسیدروی بررسی شد و ثابت¬های دی¬الکتریک با بالاترین مرتبه به دست آمدند. ویژگی های ساختاری اکسیدروی آلایئده به هافنیوم با اندازه بلورک 0.5 تا 1 میکرومتر بررسی شد. این ساختارها با استفاده از پراش پرتوایکس XRD و میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و همچنین میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM بررسی گردیدند. حضور هافنیوم توسط مشخصه¬یابیEDX در ساختار تایید شد. نتایج بدست آمده نشان دادند که سرامیکهای ZnO:Hf با بالاترین ثابت دی-الکتریک به دست آمده تا کنون ازمرتبه 1011 ، برای آینده نانو الکترونیک میتوانند بسیار امید بخش باشند.


Article's English abstract:

In this research, for the first time, with the simple technology of sol gel, the impurities effect of the inexpensive and non-toxic element of hafnium on the di-electrode properties of oxide nanoparticles were investigated and dielectric constants were obtained at the highest level. The structural properties of oxidation were investigated for 0.5 to 1 μm crystalline hafnium. The structures were tested using X-ray diffraction XRD and scanning electron microscopy SEM as well as transient electron microscopy TEM. The presence of hafnium was confirmed by the characterization EDX in the structure. The results showed that ZnO: Hf ceramics with the highest dielectric constant obtained so far up to 1011 can be very promising for the future of nanotechnology.


کلید واژگان:
اکسیدروی، هافنیوم، خواص دی¬الکتریک، سرامیک.

English Keywords:
ZnO,Hf,Dielectric Properties,Ceramic

منابع:
ندارد

English References:
[1]L. Xuhai et all, Materials Research Bulletin, 68, 87–91, (2015). [2] L. Xuhai et all, J. Mater. Chem. A, 2, 16740–16745, (2014). [3]. K. C. Kao, Dielectric Phenomena In Solids, 44,51-77, (2004). [4]. C.C. Barry, N.M. Grant, Ceramic Materials, Science and Engineering, 546-548, 556-560 , (2007). [5]. R.E. Hummel, Electronic Properties of Materials, 3rd Ed, pp.185-189 , Springer, USA, 2001. [6]. A. J. Moulson, J. M. Herbert, Electroceramics, 243-260,323-329 , John Wiley & Sons Ltd, England, 2003. [7]. C.C. Homes, T. Vogt, S.M. Shapiro, S. Wakimoto, A.P. Ramirez, Science 293 673–676, (2001). [8]. J. Shi, M. B. Starr and X. D. Wang, Adv. Mater, 24, 4683–4691, (2012). [9] R. E. Newnham, Properties of Materials : Anisotropy, Symmetry, Structure, Oxford University Press, (2004). [10] K. C. Kao, Dielectric phenomena in solids, Oxford University Press, (2004).



فایل مقاله
تعداد بازدید: 405
تعداد دریافت فایل مقاله : 13



طراحی پرتال|طراحی پورتالطراحی پرتال (طراحی پورتال): آرانا نتورک