شماره 53-زمستان 1397
شماره 54- بهار 1398
فهرست

تاثیر کنترل دما بر روی ضخامت و یکنواختی لایه های کربنی در روش CVD

نشریه: شماره 53-زمستان 1397 - مقاله 2   صفحات :  12 تا 17



کد مقاله:
53-02

مولفین:
احمد قضاتلو: پژوهشگاه صنعت نفت -


چکیده مقاله:

نتایج این تحقیق موفق به دستیابی فیلمی یکنواخت و بسیار نازک از گرافن رشد یافته بر روی بستر سیلیکا به روش رسوب دهی بخار شیمیائی شده است که با تنظیم شرایط دمائی کوره در سه منطقه با دماهای 1100 و 950 و 800 درجه سانتی گراد منجر به کنترل فرایند رشد گرافن با پدیدة چیدمان خود محدود کننده شده که حداکثر توان رشد صفحه ای دو لایه از گرافن را دارد. این فرایند در سه مرحله دو مکانسیم شکست خوراک و هسته زائی همراه با رشد گرافن را بیان می کند. آنالیزهای تصویر برداری AFM، طیف سنجی رامان و تصویر TEM به بررسی وضعیت ساختاری گرافن سنتز شده می پردازند و نتایج آنرا با گرافن رشد یافته بر بستر مسی مقایسه می کند نتایج بدست آمده حاکی از آن است که گرافن سنتز شده از نظر کیفی، نواقص ساختاری، ضخامت و یکنواختی وضعیت بسیار مطلوب تری داشته و در کاربردهای الکترونیک که بزرگترین حوزه کاربرد گرافن است بسیار مناسب و مفید خواهد بود.


Article's English abstract:

The results of this research were achieved to very thin and uniform film of graphene grown on silica substrate by chemical vapor deposition. Growth process of Graphene was controlled by setting the furnace temperature in three zones of 1100, 950 and 800 °C under phenomenon of self-limiting arrangement which can maximum grow two layers of graphene sheet. This process expresses two mechanisms of dissociation of feed and nucleation with growth of graphene under three stages. AFM, TEM and Raman spectroscopy analysis were evaluated the structure of synthesized graphene and the results compared to graphene grown on copper substrate. The results suggest that the graphene synthesized has much more favorable situation than the graphene grown on copper in view point of qualitative, structural defects, thickness and uniformity. The grown graphene will be very convenient and useful in field of electronics that is the largest area application of graphene.


کلید واژگان:
گرافن، سيليكا، رسوب دهي بخار شيميايي، رامان، متان

منابع:
ندارد

English References:
1. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, Nature, 438, 197-200(2005). 2. R.R. Nair, P. Blake, Grigorenko A.N., Novoselov K.S., Booth T.J., Stauber T., Peres N.M., Geim A.K., Science, 320, 1308-1319, (2008). 3. C. Xu, J.H. Lee, J.C. Lee, B.S. Kim, D. Whang, Cryst Eng Comm., 13, No. 20, 6036–6039, (2011). 4. G. Eda, G. Fanchini, M. Chhowalla, Nat. Nanotechnol., 3, 270-274, (2008). 5. A. Reina, X.T. Jia, D. Nezich, H. Son, Nano Lett., 9, 30-35, (2009). 6. A.M. VanderZande, R.A. Barton, J.S. Alden, C.S. Ruiz-Vargas, W.S. Whitney, Nano Lett., 10, 4869–4873, (2010). 7. A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, Phys. Rev. Lett., 97, 187401-187411, (2006). 8. R. Jaaniso, T. Kahro, J. Kozlova, J. Aarik, Sensors and Actuators B, 190, 1006–1013,(2014). 9. Z. Ni, Y. Wang, T. Yu, Z. Shen, Nano Res., 1, 273–291, (2010). 10. N. Tajima, T. Kaneko, J. Nara, T. Ohno, Surface Science, 653, 123–129, (2016). 11. Y. Chen, X. Zhang, E. Liu, C. He, Journal of Alloys and Compounds, 688, 69–76, (2016). 12. J. Zhao, S. Pei, W. Ren, L. Gao, ACS Nano, 4, No. 9, 5245-5252, (2010). 13. T. Ohta, A. Bostwick, T. Seyller, K. Horn, Rotenberg E., Science, 313, (2006), 951-954. 14. B. Liu, D.M. Tang, C. Sun, C. Liu, J. Am. Chem. Soc., 133, 197-199, (2011). 15. S.P. Koenig, N.G. Boddeti, M.L. Dunn, J.S. Bunch, Nat. Nanotechnol., 6, 543-546, (2011). 16. S. Bhaviripudi, M.S. Dresselhaus, J. Kong, M Nano Lett., 10, 4128-4133, (2010).



فایل مقاله
تعداد بازدید: 275
تعداد دریافت فایل مقاله : 16



طراحی پرتال|طراحی پورتالطراحی پرتال (طراحی پورتال): آرانا نتورک