انجمن نانوفناوری ایران دنیای نانو 2476-5945 12 45 2016 12 21 بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی تحت تاثیر "پدیده فوتورسانش پایدار PPC" در ساختار ناهمگون AlxGa1−xN/AlN/GaN 4 10 46024 FA عطیه قلیچ لی دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود حسین عشقی دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود Journal Article 2020 10 07 در این مقاله به مطالعه نظری وابستگی تحرک پذیری الکترونی به تراکم گاز الکترون دو بعدی 2DEG در ساختار ناهمگون AlxGa1-xN/GaN 25/0 و 15/0x تحت تاثیر پدیده فوتورسانش پایدار در دمای پایین K 6/1 پرداخته‌ایم. نتایج تحلیل ما مبتنی بر انواع سازوکار‌های پراکندگی و قاعده ماتیسن حاکی از آن است که در تراکم‌های الکترونی پایین، پراکندگی دررفتگی‌ها سهم غالب را در کنترل تحرک گاز الکترون دو بعدی برای هر دو نمونه بر عهده داشته‌اند؛ اما در تراکم‌های بالاتر، نه تنها دررفتگی‌ها بلکه سازوکار‌های "ناخالصی‌های بخشنده‌های از راه دور" و "ناهمواری‌های سطح مشترک" نیز بر تحرک الکترون‌ها تاثیر می‌گذارند. محاسبات ما همچنین نشان می‌دهد که با کاهش کسر مولی آلومینیوم در لایه سد AlGaN، تراکم دررفتگی‌ها کاهش یافته و منجر به تحرک پذیری الکترونی بالاتری شده است.<br />   https://donyayenano.ir/article_46024_8db1c5244f04213e7178c188cf975960.pdf