ORIGINAL_ARTICLE
مواد کربنی نانو متخلخل: معرفی و کاربردهای آنها
امروزه یکی از مهم ترین مسائل در جوامع انسانی ، حفاظت محیط زیست و بازیافت مواد است و با توجه به محدود بودن ذخایر مواد نفتی ، زغال سنگ و گاز که چرخ های صنایع را به حرکت در می آورند بشر در پی راهی برای استفاده بهینه از این صنایع تجدید ناپذیر است . کربن های متخلخل بدلیل مساحت سطح بالا و تخلخل زیادی که دارند می توانند در زمینه های : کاتالیزوری، بازیافت، جداسازی، ذخیره سازی،دارورسانی و ...مورد استفاده قرار گیرند . طراحی مولکولی مواد کربنی متخلخل به منظور تنظیم خواص درونی آن ها از قبیل: هدایت گازی و الکتریکی یا بررسی برهمکنش آن ها با مولکول های مهمان صورت گرفته است. در این مقاله به بررسی دو استراتژی بالا به پایین و پایین به بالا به سمت تولید کربن های متخلخل آمورف و بلوری، انواع قالب ها برای سنتز کربن های متخلخل ، عوامل مؤثر بر طراحی حفرات مواد کربنی متخلخل، انواع کربن های متخلخل و در نهایت کاربرد های مواد کربنی متخلخل می پردازیم.
https://donyayenano.ir/article_46131_ab07e8f80e4bd8c2389aca1203b57bc5.pdf
2019-09-23
1
9
مواد نانومتخلخل کربنی
سنتز کربن متخلخل
چارچوب های فلز-آلی
اصلاح سطح
شکوفه
گرانمایه
1
دانشکده شیمی-فیزیک، دانشگاه الزهرا(س)، ونک، تهران
LEAD_AUTHOR
نگین
پورزادی
2
دانشکده شیمی-فیزیک، دانشگاه الزهرا(س)، ونک، تهران
AUTHOR
[1] H.O, Pierson, Handbook of carbon
1
graphite, diamond and fullerenes
2
(Noyes), (1993); T.D. Burchell, Carbon
3
materials for advanced technologies
4
(Pergamon), (1999).
5
[2] J. H. Davis Jr , Chem. Lett. 33, 1072–
6
1077, (2004) .
7
[3] I. Fuchs et al, Angew, Chem, Int, Ed,
8
55, 408–412, (2016).
9
[4] Z. Lei et al, Energy Environ, Science,
10
9, 1891–1930, (2016).
11
[5] C. S. Diercks, O.M. Yaghi, Science,
12
355(6328), 1585-1590, (2017).
13
[6] H. Sahabudeen et al, Nat, Commun, 7 ,
14
13461-13469, (2016).
15
[7] P. Ruffieux et al, Nature, 531, 489–492,
16
[8] H. Sato et al, Nat. Mater. 9, 661–666,
17
[9] Q. L. Zhu , Q. Xu. Chem, Soc, Rev, 43,
18
5468–5512, (2014).
19
[10] V. Presser, M. Heon, Y. Gogotsi, Adv,
20
Funct, Mater, 21, 810–833, (2011).
21
[11] Yongde Xia, Zhuxian Yanga ,Robert
22
Mokaya, Nanoscale, 2, 639-659, (2010).
23
[12] Chengdu Liang, Zuojiang Li, Sheng
24
Dai, Angew Chem. Int. Ed, 47, 3696–3717,
25
[13] J. Lee, S. Yoon, T. Hyeon, S. M. Oh,
26
K. B. Kim, chem Commun, 21, 2177-2178,
27
[14] J. Rodriguez-Mirasol, T. Cordero, L.
28
R. Radovic, J. J. Rodriguez, Chem Mater.
29
10 (2), 550-558, (1998).
30
[15] Andreas Stein, Zhiyong Wang,
31
Melissa, A. Fierke, Advanced Mater, 21,
32
265-293, (2009).
33
[16] K. Xia, Q. Gao, C. Wu, S. Song, M.
34
Ruan, Carbon, 45, 1989 -1996, (2007).
35
[17] S. Jun, M. Choi, S. Ryu, H. Y. Lee, R.
36
Ryoo, Stud Surf Sci Catal, 145, 79-84 ,
37
[18] H. Kim, P. Kim, J. B. Joo, W. Kim, I.
38
K. Song, J. Yi, J. Power Sources, 157, 196–
39
200, (2006).
40
[19] M. Choi, R. Ryoo,J. Mater. Chem, 17,
41
, 4204-4209, (2007).
42
[20] D. Reichert . Anal Bioanal Chem, 376,
43
308–310, (2003).
44
[21] P. Painter, M. Starsinic, M. Coleman,
45
Fourier Transform Infrared Spectrosc,
46
39(5), 885-889, (1985).
47
[22] H. Darmstadt, C. Roy, S. Kaliaguine,
48
S. J. Choi, R. Ryoo, Carbon, 40(14), 2515-
49
2746, (2002).
50
[23] H. Darmstadt, C. Roy, S. Kaliaguine,
51
S. J. Choi, R. Ryoo, Carbon, 40, 2673,
52
[24] F. Rouquerol, J. Rouquerol, K. Sing,
53
Adsorption by Powders & Porous
54
Solids,Academic, Page Count: 646, (2013).
55
[25] TL, Doane, C. Burda, Chem Soc Rev,
56
41, 2885-2911, (2012).
57
[26]Y. Zhang, Y. Bai, B. Yan, Drug Discov
58
Today, 15, 428-435, (2010).
59
[27]F. Qu, G. Zhu, H. Lin, J Solid State
60
Chem, 179, 2027–35, (2006).
61
[28] M. Mahkam, Drug Delivery, 17, 158-
62
163, (2010).
63
ORIGINAL_ARTICLE
بررسی رفتار ترشوندگی سطوح با استفاده شبیه سازی دینامیک مولکولی
شبیهسازی دینامیک مولکولی یکی از تکنیکهای محاسباتی کامپیوتری است که برای بازسازی رفتار سیالات بر روی سطوح در مقیاس مولکولی می تواند به کار میرود. در سال های اخیر بررسی ترشوندگی نانوساختارها مانند گرافن و نانوذرات و نیز سطوح فلزی مورد توجه بسیاری از پژوهشگران بوده است زیرا کنترل ترشوندگی روی سطوح، کاربردهای زیادی در علوم مختلف به ویژه در ساخت سطوح هوشمند دارد. شبیهسازی دینامیک مولکولی میتواند برای تکمیل و یا تایید دادههای تجربی مربوط به برهمکنش سیال و سطح بستر مورد استفاده قرار گیرد. در بررسی ترشوندگی با رویکرد شبیه سازی دینامیک مولکولی، معمولا کمیتهای زیر محاسبه می گردند که در کار حاضر شرح داده میشوند. زاویه تماس، کشش سطحی، پروفایل دانسیته سیال بر سطح، تعداد پیوند هیدروژنی، جهت گیری مولکولی، پارامتر نظم، انرژی برهمکنش سیال و سطح، و ضریب نفوذ. از بین کمیتهای فوق، دو کمیت زاویه تماس و کشش سطحی از طریق تجربی نیز قابل اندازه گیری هستند و میتوانند اطلاعات ارزشمندی راجع به پدیده ترشوندگی ارائه دهند. با توجه به میزان نیروی پیوستگی بین مولکولهای آب و نیروی چسبندگی بین مولکولهای آب و سطح، مقدار زاویه تماس و در نتیجه ترشوندگی سطح تحت تاثیر قرار میگیرد. در حالتی که سطح دارای زبری است دو مدل اصلی ونزل و کسی باکستر برای توضیح رفتار قطره روی سطح ارائه شده است. در مدل ونزل مایع فضای بین زبریهای و فرورفتگیهای سطح توسط سیال پر میشود. از سوی دیگر، رفتار سیال در مجاورت سطح تا حد زیادی تحت تأثیر ماهیت سطح قرار میگیرد و تعیین کشش سطحی نقش مهمی در درک رفتار فوق بازی میکند.
https://donyayenano.ir/article_46125_5f106e6265fcb8cfce540fe8b5c94d49.pdf
2019-09-23
11
18
شبیه سازی دینامیک مولکولی
ترشوندگی
سطح
معصومه
فروتن
1
دانشگاه تهران, دانشیار دانشکده شیمی
LEAD_AUTHOR
احمد
بوداغی
2
دانشگاه تهران, پردیس بین المللی کیش
AUTHOR
[1] J. Lü, Applied Surface Science,
1
256(14), 4720-4723, (2010).
2
[2] K.Y., Law, J. Phys. Chem. Lett., 5, 4,
3
686-688, (2014).
4
[3] R. Asmatulu, Polymer Composites,
5
36(9),1565-1573, (2015).
6
[4] G.M.Ralph Nussbaum, J. Hertz,
7
Angew, Chem, Int, Ed, 55, 408–412,
8
[5] A. Marmur, Langmuir, 19(20), 8343-
9
8348, (2003).
10
[6] S.W. Hung, The Journal of Physical
11
Chemistry C, 119(15), 8103-8111, (2015).
12
[7] B. Shi, Chem. Lett. 33, 1072–1077,
13
[8] A.E. Ismail, Macromolecules, 42(8),
14
3186-3194. (2009).
15
[9] M. Foroutan, M. Darvishi, S.M. Fatemi,
16
Physical Review E, 2017. 96(3): p. 033312.
17
[10] M. Foroutan, Journal of Molecular
18
Liquids, 250, 344-352, (2018).
19
[11] K.H. Babazadeh, M. Foroutan, Journal
20
of Molecular Liquids, 244, 291-300,
21
[12] A. Luzar, The Journal of Chemical
22
Physics, 113(23), 10663-10675, (2000).
23
ORIGINAL_ARTICLE
اندازهگیری باقی مانده آفت کشها در مواد غذایی با حسگرهای الکتروشیمیایی مبتنی بر الکترودهای صفحه چاپی اصلاح شده با نانوذرات مقاله مروری
ابعاد کوچک، قابل حمل بودن، حساسیت، انتخاب پذیری بالا و گستره خطی وسیع خصوصیات ویژه حسگرهای الکتروشیمیایی هستند. در حسگرهای صفحه چاپی SPEs، سیستم الکترودی الکترودهای کار، مرجع و کمکی بر روی یک لایه واحد چاپ شده و با توجه به پاسخهای خطی و سریع، نیاز کم به انرژی، قابلیت کار در دمای محیط و تهیه آسان، میتوانند مناسبترین گزینه برای آنالیز درمحل باشند. برای بهبود عملکرد SPEs، سطح الکترود کار را میتوان با فلزات نجیب، نانوذرات، آنزیمها، توالی-های DNA و پلیمرهای قالب گیری شده مولکولی اصلاح نمود. حسگرهای مختلفی مبتنی بر اصلاح SPEs توسط آنزیمها برای اندازه گیری باقی مانده آفت کشها معرفی شدهاند. واکنش آنزیم با سوبسترای خود گونههای الکتروفعال تولید مینماید که به صورت الکتروشیمیایی قابل اندازهگیری هستند. آفت کش به عنوان عامل مهار کننده، از فعالیت آنزیم کاسته و متناسب با آن جریان عبوری نیز کاهش مییابد.
https://donyayenano.ir/article_46126_019622c82efc90b628d3f6a2ddc7350e.pdf
2019-09-23
19
28
الکترودهای صفحه چاپی
حسگرهای الکتروشیمیایی
نانوذرات
آفت کشها
مسلم
جهانی
1
استادیار گروه شیمی مواد غذایی، موسسه پژوهشی علوم و صنایع غذایی
LEAD_AUTHOR
جواد
فیضی
2
استادیار گروه ایمنی و کنترل کیفیت مواد غذایی، موسسه پژوهشی علوم و صنایع غذایی
AUTHOR
[1] O.D. Renedo, M.A. Alonso-Lomillo,
1
and M.J.A. Martínez. Talanta, 73, 202-
2
219 (2007).
3
[2] M. Trojanowicz. TrAC Trends in
4
Analytical Chemistry, 84, 22-47 (2016).
5
[3] H. Wang, G. Zhao, D. Chen, Z.
6
Wang, and G. Liu. International journal
7
of electrochemical science, 11, 10906-
8
10918 (2016).
9
[4] J. Mehta, P. Vinayak, D.S. Tuteja,
10
V. Chhabra, N. Bhardwaj, A.K. Paul,
11
K.-H. Kim, and A. Deep. Biosensors &
12
Bioelectronics, 83, (2016).
13
[5] F. Arduini, S. Cinti, V.
14
Scognamiglio, and D. Moscone.
15
Microchimica Acta, 183, 2063-2083
16
[6] M. Khairy, H.A. Ayoub, and C.E.
17
Banks. Food Chemistry, 255, 104-111
18
[7] E. Jubete, O.A. Loaiza, E. Ochoteco,
19
J.A. Pomposo, H. Grande, and J.
20
Rodrguez. Journal of Sensors, 2009,
21
[8] N. Gan, X. Yang, D. Xie, Y. Wu,
22
and W. Wen. Sensors (Basel), 10, 625-
23
638 (2010).
24
[9] M. Li, Y.T. Li, D.W. Li, and Y.T.
25
Long. Analytica Chimica Acta, 734, 31-
26
44 (2012).
27
[10] M. Trojanowicz, A. Mulchandani,
28
and M. Mascini. Analytical Letters, 37,
29
3185-3204 (2004).
30
[11] K.A. Joshi, J. Tang, R. Haddon, J.
31
Wang, W. Chen, and A. Mulchandani.
32
Electroanalysis, 17, 54-58 (2005).
33
[12] D. Zang, M. Yan, S. Ge, L. Ge, and
34
J. YuAnalyst, 138, 2704-2711 (2013).
35
[13] J. Ping, Y. Wang, K. Fan, J. Wu,
36
and Y. Ying. Biosensors and
37
Bioelectronics, 28, 204-209 (2011).
38
[14] K. Charoenkitamorn, O.
39
Chailapakul, and W. Siangproh.
40
Talanta, 132, 416-423 (2015).
41
[15] I. Tiwari, M. Singh, M. Gupta, J.P.
42
Metters, and C.E. Banks. Analytical
43
Methods, 7, 2020-2027 (2015).
44
[16] S.A. Lim, H. Yoshikawa, E.
45
Tamiya, H.M. Yasin, and M.U. Ahmed.
46
RSC Advances, 4, 58460-58466 (2014).
47
[17] A. Bagheri Hashkavayi, J. Bakhsh
48
Raoof, R. Ojani, and E. Hamidi Asl.
49
Electroanalysis, 27, 1449-1456 (2015).
50
[18] Y.-H. Won, H.S. Jang, S.M. Kim,
51
E. Stach, M. Ganesana, S. Andreescu,
52
and L.A. Stanciu. Langmuir, 26, 4320-
53
4326 (2010).
54
[19] R.P. Deo, J. Wang, I. Block, A.
55
Mulchandani, K.A. Joshi, M.
56
Trojanowicz, F. Scholz, W. Chen, and
57
Y. Lin. Determination of
58
organophosphate pesticides at a carbon
59
nanotube/organophosphorus hydrolase
60
electrochemical biosensor. Analytica
61
Chimica Acta, 530, 185-189 (2005).
62
[20] M.A. Alonso-Lomillo, O.
63
Domínguez-Renedo, and M.J. ArcosMartínez. Screen-printed biosensors in
64
microbiology; a review. Talanta, 82,
65
1629-1636 (2010).
66
[21] J. Caiand D. Du. A, Journal of
67
Applied Electrochemistry, 38, 1217-
68
1222 (2008).
69
[22] M. Govindasamy, V. Mani, S.M.
70
Chen, T.W. Chen, and A.K.
71
Sundramoorthy. Scientific Reports, 7,
72
46471-46482 (2017).
73
[23] H. Li, J. Li, Z. Yang, Q. Xu, and X.
74
Hu. Analytical Chemistry, 83, 5290-
75
5295 (2011).
76
[24] D. Chen, Z. Liu, J. Fu, Y. Guo, X.
77
Sun, Q. Yang, and X. Wang. Journal of
78
Electroanalytical Chemistry, 801, 185-
79
191 (2017).
80
[25] Y. Lin, F. Lu, and J. Wang.
81
Electroanalysis, 16, 145-149 (2004).
82
[26] A.N. Ivanov, R.R. Younusov, G.A.
83
Evtugyn, F. Arduini, D. Moscone, and
84
G. Palleschi. Talanta, 85, 216-221
85
[27] Q. Zhang, Q. Xu, Y. Guo, X. Sun,
86
and X. Wang. RSC Advances, 6, 24698-
87
24703 (2016).
88
[28] C. Tortolini, P. Bollella, R.
89
Antiochia, G. Favero, and F. Mazzei.
90
Sensors and Actuators B: Chemical,
91
224, 552-558 (2016).
92
[29] E. Khaled, M.S. Kamel, H.N.A.
93
Hassan, H. Abdel-Gawad, and H.Y.
94
Talanta, 119, 467-472 (2014).
95
[30] W. Wei, X. Zong, X. Wang, L.
96
Yin, Y. Pu, and S. Liu. Food Chemistry,
97
135, 888-892 (2012).
98
ORIGINAL_ARTICLE
طراحی و شبیهسازی نانو سنسور مبتنی بر رزوناتور حلقه مربعی فوتونیک کریستالی برای اندازهگیری فشار
در این مقاله، یک نانو سنسور مبتنی بر رزوناتور حلقه مربعی فوتونیک کریستالی برای اندازه گیری فشار طراحی و شبیه سازی شده است که عملکرد آن بر اساس تغییرات ضریب شکست سیلیکون و طول موج رزونانس می باشد. این نانو سنسور برای اندازه گیری فشار در محدوده GPa 0 تا GPa 8 پیشنهاد شده است. برای تشخیص محدوده طول موج رزونانس سنسور فشار، در محاسبه شکاف باند فوتونی از روش بسط امواج تخت و همچنین برای به دست آوردن پارامترهای عملیاتی سنسور از روش تفاضل متناهی در حوزه زمان استفاده شده است. مقدار حساسیت و فاکتور کیفیت نانو سنسور فشار طراحی شده به ترتیب برابرnm/GPa ۸ و 55/995 است. ساختار سنسور به علت سایز کوچک و فشرده، مناسب برای استفاده در صنعت نانوالکترو مکانیک نوری و فناریهای نانو میباشد.
https://donyayenano.ir/article_46129_0a967181dbf8cfaf8f53da9b248fe6f6.pdf
2019-09-23
28
35
سنسور نوری
سنسور فشار
فوتونیک کریستال
فاکتور کیفیت
حساسیت
پردیس
کاظمی اسفه
1
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
AUTHOR
زهرا
اعلایی
2
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
LEAD_AUTHOR
[1] S. Robinson, N. Dhanlaksmi, Photonic
1
Sensors 7(1), 11–19, (2017).
2
[2] S. Robinson, R. Nakkeeran, Optik,
3
123(5):451-457, (2011).
4
[3] BR. Singh, S. Rawal, Optical Society of
5
America A, 32(12), 2260–2263, (2015).
6
[4]K. Venkatachalam, S. Robinson, SK.
7
Dhamodharan, Opto-Electron Rev 25(2),
8
74–79. (2017).
9
[5] RV. Nair, R. Vijaya, Prog Quant
10
Electron 34(3), 89–134, (2010).
11
[6] DF. Dorfner, T. Hürlimann, T. Zabel,
12
LH. Frandsen, G. Abstreiter, Appl Phys
13
Lett 93(18):181103, (2008).
14
[7] R. Rajasekar, S. Robinson, Plasmonics,
15
14,1-13, (2018).
16
[8]T. Dharchana, A. Sivanantharaja, S.
17
Selvendran, Advances in Natural and
18
Applied Sciences, 11(7):26–30, (2017).
19
[9] L. Zhang, J. Lou, L. Tong Photon Sens
20
1(1), 31–42, (2011).
21
[10]Y. Zhang, J. Huang, X. Lan, L. Yuan,
22
H. Xiao, Opt Eng 53(6):067101, (2014).
23
[11] H. Xu, M. Hafezi, J. Fan, JM. Taylor,
24
GF. Strouse, Z. Ahmed, Opt Express 22(3),
25
3098–3104, (2014).
26
[12] Y. Zhao, Y-n. Zhang, LV. Ri-Qing, J.
27
Li, J Lightwave Technol 35(16),3440–
28
3446, (2017).
29
[13] X. Qian, Y. Zhao, Y-n. Zhang, Q.
30
Wang, Sensors Actuators B Chem
31
228,665–672, (2016).
32
[14] S. Jindal, S. Sobti, M. Kumar, S.
33
Sharma, M.K. Pal,. IEEE Sensors Journal
34
16(10), 3705–3710, (2016).
35
[15] M. Saleh, M. Farhat, M.F.O Hameed,
36
N. Fayez, M. El-Okr, S. Obayya, Applied
37
Computational Electromagnetics Society
38
Journal. 31. 836, (2016).
39
[16] P. Sharma, P. Sharan. Int J Emerg
40
Technol Adv Eng 4(1),702–706, (2014).
41
[17] H. Chopra, RS. Kaler, B. Painam, J
42
Nanophotonics 10(3), 036011, (2016).
43
[18]F.L. Hsiao, C. Lee, Journal of Micro/
44
Nanolithography, MEMS, and MOEMS,
45
10(1), 013001, (2011).
46
[19] S. Robinson, R. Nakkeeran, Photon
47
Sens 2(2),187–192, (2012).
48
[20] R. Arunkumar, T. Suganya, S.
49
Robinson, Int J Photon Opt Technol
50
3(1):30–33, (2017).
51
[21] MT. Tinker, JB. Lee, Optics Express
52
13(18):7174–7188, (2005).
53
[22] AK. Goyal, S. Pal, Optik 126(2):240–243, (2015).
54
[23] B. Li, C. Lee, Sens Actuators A Phys
55
172(1):61–68, (2011).
56
[24]F.Hu, H. Zhao, X. g. Qiao, Y. Li,D.Zhao, Z. Yong, Optoelectron Lett
57
7(6):419–422, (2011).
58
[25] L. Huang, H. Tiana, D. Yang, J. Zhou,
59
Q. Liu, P. Zhang, Y. Ji , Opt Commun 332 و
60
42–49, (2014).
61
[26]M. Huang, Int J Solids Struct
62
40(7):1615–1632, (2003).
63
[27]K.V. Shanthi, S. Robinson, Photon
64
Sens 4,248–253, (2014).
65
ORIGINAL_ARTICLE
مطالعه جذب سطحی گاز NO2 بر روی نانوقفسهای B12N12 و B12P12 به روش محاسباتی
هدف از این کار تحقیقاتی، بررسی جذب سطحی گاز NO2 بر روی نانوقفس های نافلزی B12N12 و B12P12به روش محاسباتی است. برای این منظور، آرایشهای جذبی متفاوتی برای جذب گاز NO2 بر روی سطح این نانوقفس ها در نظر گرفته شد و ساختارهای مورد نظر با استفاده از نظریه تابعیت چگالی DFT به روش M062Xو با استفاده از مجموعه پایه 6-31G بهینه سازی گردید. سپس، هر یک از پارامترهای ترمودینامیکی و نیز پارامترهای کوانتومی مربوطه محاسبه گردید. نتایج پارامترهای ترمودینامیکی از جمله انرژی جذب نشان داد که از میان شیوه های جذب مختلف، جذب دو اتم اکسیژن NO2 بر روی دو اتم نیتروژن نانوقفس B12N12، قویترین حالت جذب را دارد درحالی که جذب یک اتم اکسیژن NO2 بر روی اتم بور نانوقفس B12P12، قویتر از سایر شیوه های جذبی است. پارامترهای کوانتومی نیز نتایج فوق را تایید کردند. همچنین، بررسی ماهیت پیوند با استفاده از نرم افزار اتم در مولکول AIM نشان داد که مناسب ترین شیوه های جذب فوق به ترتیب از نوع واندروالسی ضعیف و یونی- الکتروستاتیک قوی می باشند.
https://donyayenano.ir/article_46127_0f74148afc57e95b3eae02057b9346cc.pdf
2019-09-23
36
43
نانوقفس
B12N12
B12P12
NO2
DFT
QAIM
M062X و 6-31G
حسین
دشتی خویدکی
1
گروه شیمی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آیت ا... العظمی بروجردی، بروجرد
LEAD_AUTHOR
حدیث
کریمی
2
گروه شیمی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آیت ا... العظمی بروجردی، بروجرد
AUTHOR
موسی
سلیمانی
3
گروه شیمی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آیت ا... العظمی بروجردی، بروجرد
AUTHOR
[1] م. غیاث الدین، آلودگی هوا، ترجمه از پرکینز، انتشارات
1
.)0378( ،6-8 ،تهران دانشگاه
2
[2] م. غیاث الدین، آلودگیهای ترافیک و اثرات آن بر
3
جامعه، مجموعه مقاالت دومین کنفرانس ترافیک تهران،
4
[3] ح. وفایی، ع. قائدی، ح. شاملویی، مطالعه نظری نانو
5
قفس بور نیترید با استفاده از روش تابعیت چگالی الکترونی،
6
دانشگاه آزاد اسالمی واحد گچساران گروه شیمی، 7-0،
7
[4] L. Zhu, D. W. Hess, C.P. Wong, Journal of
8
Physical Chemistry B, 110, 5445-5449 (2006).
9
[5] F. Jensen, H. Toflund, Journal of Chemical
10
Physics, 201, 89–96, (1993).
11
[6] H. Y. Zhu, T.G. Schmalz, D.J. Klein,
12
Journal of Chemical Quantum, 63(2), 393–401,
13
[7] D.L. Strout, Journal of Chemical Physics,
14
104, 15, 3364–3366, (2000).
15
[8] P. Politzer, C.W. Kammeyer, J. Bauer, W.L.
16
Hedges , Journal of Physical Chemistry, 85,
17
4057-4060, (1981).
18
[9]ب. ادیب، م. هاشمیان زاده، ا. قاائم پناه، ن.
19
نقشینه،بررسی نظری جذب گاز کربن مونوکسید در نانو قفس
20
نیترید بوران، دانشگاه علم و صنعت ایران، 2-0,( 1388).
21
[10] A. Soltani, M.T. Baei, A.S. Ghasemi, E.T.
22
Lemeski, K. Hoseini Amirabadi, Superlattices
23
and Microstructures, 75, 564-575, (2014).
24
[11] A. Soltani, M. T. Baei, E. T. Lemesky, A.
25
A. Pahlevani, Superlattices and Microstructure,
26
75, 716–724, (2014).
27
[12] L. Hojatkashani, Journal of Chemistry,
28
31(4), 2087-2097, (2015).
29
[13] M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel,
30
G.E. Scuseria, M.A. Robb, J.R. Cheeseman, G.
31
Scalmani G, V. Barone, B. Mennucci, G.A.
32
Petersson, H. Nakatsuji, M. Caricato, X. Li,
33
H.P. Hratchian, A.F. Izmaylov, J. Bloino, G.
34
Zheng, J.L. Sonnenberg, M. Hada, M. Ehara,
35
K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida,
36
T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, T.
37
Vreven, J.A. Montgomery Jr., J.E. Peralta, F.
38
Ogliaro, M. Bearpark, J.J. Heyd, E. Brothers,
39
K.N. Kudin, V.N. Staroverov, R. Kobayashi, J.
40
Normand, K. Raghavachari, A. Rendell, J.C.
41
Burant, S.S. Iyengar, J. Tomasi, M. Cossi, N.
42
Rega, J.M. Millam, M. Klene, J.E. Knox, J.B.
43
Cross, V. Bakken, C. Adamo, J. Jaramillo, R.
44
Gomperts, R.E. Stratmann, O. Yazyev, A.J.
45
Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J.W. Ochterski,
46
R.L. Martin, K. Morokuma, V.G. Zakrzewski,
47
G.A. Voth, P. Salvador, J.J. Dannenberg, S.
48
Dapprich, A.D. Daniels, Ö. Farkas, J.B.
49
Foresman, J. V. Ortiz, J. Cioslowski and D.J.
50
Fox, Gaussian 09, Revision A.1, Gaussian Inc.,
51
Wallingford, CT, (2009).
52
[14] S.Gunasekaran, R. Arun Balaji, S,
53
Kumaresan, G. Anand, S. Srinivasan, Journal
54
of Analytical Sciences and Spectroscopy,
55
53(4), 149-162, (2008).
56
[15] S. Sudha, M. Karabacak, M. Kurt, M
57
Cinar, N. Sundaraganesan, Spectrochimica
58
Acta A, 84, 184-195, (2011).
59
[16] R.G. Parr, R.G. Pearson, Journal of the
60
American chemical society, 105, 7512
61
-7516.(1983).
62
[17] E. Chamorro, P.K. Chattaraj, P.
63
Fuentealba, Journal of Physical Chemistry A,
64
107, 7068-7072, (2003).
65
[18] E.E. Ebenso , M.M. Kabanda, T. Arslan,
66
M. Saracoglu, F. Kandemirli, L.C. Murulana,
67
A.K. Singh, S.K. Shukla, B. Hammouti, K.F.
68
Khaled, M.A. Quraishi, I.B. Obot, N.O. Eddy,
69
International Journal of Electrochemical
70
Sciences, 7, 5643-5676, (2012).
71
[19] C.F. Matta, R.J. Boyd, A. Becke, The
72
Quantum Theory of Atoms in Molecules: from
73
solid state to DNA and drug design, WILEY
74
-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, (2007).
75
ORIGINAL_ARTICLE
بررسی خواص الکترونی آلوتروپ جدید کربن H18 با استفاده از نظریه تابعی چگالی
در این مقاله خواص الکترونی یکی از جدیدترین آلوتروپهای کربن به نام کربن H18 با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالیDFT و به کاربردن تقریب شیب تعمیم یافته GGA بررسی شده است. این ساختار دارای هیبریداسیون دوگانه sp2-sp3 است و در سلول واحد آن 18 اتم کربن وجود دارد. خواص الکترونی H18 شامل ساختار نواری، چگالی حالتهای الکترونی و چگالی بار در صفحات بلوری مختلف محاسبه شد. نتایج ساختار نواری نشان داد که این ساختار خاصیت فلزی دارد. مشاهده شد که اتمها توزیع چگالی حالتهای یکسانی ندارند و بیشترین سهم چگالی الکترونی در نزدیکی تراز فرمی مربوط به اوربیتال Px اتمهای C3 است و اتمهای C2 تقریبا هیچ تاثیری بر چگالی حالتها در نزدیکی تراز فرمی ندارند.
https://donyayenano.ir/article_46130_d0b7399cfac7beb5303b9e462d8137b1.pdf
2019-09-23
44
48
نظریه تابعی چگالی
آلوتروپهای کربن
کربن H18
ساختار نواری
چگالی حالتهای الکترونی
مصطفی
چنگیزی
1
دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان
AUTHOR
نفیسه
معماریان
2
دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان
LEAD_AUTHOR
حمید رضا
قلی پور دیزجی
3
دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان
AUTHOR
[1] T.A. Saleh, V.K. Gupta, A review,
1
Advances in Colloid and Interface Science,
2
211, 93-49 (2014).
3
[2] J. Zhang, R. Wang, X. Zhu, A. Pan, C.
4
Han, X. Li, Z. Dan, C. Ma, W. Wang, H.
5
Su, C. Niu, Nat. Commun. 8, 683, (2017).
6
[3] K. Vimalanathan, R. Goswami
7
Shrestha, Zhi Zhang, J. Zou, T. Nakayama,
8
C. L. Raston, Angew. Chem. Int. Ed., 56,
9
8398–8401, (2017).
10
[4] O. A. Shenderova, V. V. Zhirnov, and
11
D. W. Brenner, Critical Reviews in Solid
12
State and Material Sciences, 27, 227-356,
13
[5] E. Aawani, H. Rezagholipour Dizaji, N.
14
Memarian, Opt. Quant. Electron., 50, 129,
15
[6] G. Fratesi, S. Achilli, N. Manini, G.
16
Onida, A. Baby, A. Ravikumar, A.
17
Ugolotti, G. P. Brivio, A. Milani, C. S.
18
Casari, Materials, 11, 2556, (2018).
19
[7] Bergeret, C., Cousseau, J., Fernandez,
20
V., Mevellec, J. Y. Lefrant, S. J. Phys.
21
Chem. C 112, 16411–16416 (2008).
22
[8] C. Bergeret, J. Cousseau, V. Fernandez,
23
J.-Y. Mevellec, S. Lefrant, J. Phys. Chem.
24
C, 112, 16411–16416, (2008).
25
[9] H. Terrones, M. Terrones, E.
26
Hernández, N. Grobert, J.-C. Charlier, P.
27
Ajayan, Phys. Rev. Lett. 84, 1716, (2000).
28
[10] M. Kociak, A.Y. Kasumov, S. Guéron,
29
B. Reulet, I. Khodos, Y.B. Gorbatov, V.
30
Volkov, L. Vaccarini, H. Bouchiat, Phys.
31
Rev. Lett. 86, 2416, (2001).
32
[11] J. Liu, T. Zhao, Sh. Zhang, Q. Wang,
33
Nano Energy, 38 263–270, (2017).
34
[12] D. Fan, A. A. Golov, A. A. Kabanov,
35
C. Chen, S. Lu, X. Li, M. Jiang, X. Hu, . J.
36
Phys. Chem. C, 123, 15412-15418, (2019).
37
[13] S. Piscanec, M. Lazzeri, J. Robertson,
38
A.C. Ferrari, F. Mauri, Phys. Rev. B 75,
39
035427, (2007).
40
[14] Chun-Xiang Zhao, Chun-Yao Niu,
41
Zhi-Jie Qin, Xiao Yan Ren, Jian-Tao
42
Wang, Jun-Hyung Cho, Yu Jia, 6,
43
Scientific reports, 21879, (2016).
44
[15] P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini,
45
Condensed Matter 21, 395502, (2009).
46
[16] www. quantum-espresso.org
47
[17] Y. Liu, X. Jiang, J. Fu, J. Zhao,
48
Carbon 126, 601-610, (2018).
49
ORIGINAL_ARTICLE
شبیهسازی و بررسی لایهنشانی لایههای نازک فلزی به روش تبخیر حرارتی
لایههای نازک فلزی به دلیل کاربرد گسترده درحوزههای مرتبط با سلول خورشیدی، حسگر، میکروسکوپ الکترونی و طیفسنجی، تشخیص و درمان بافتهاى سرطانى، هوافضا، ارتباطات راه دور، لیزرها، خودرو و ... مورد توجه خاص قرار دارند. در این مقاله فرایند لایهنشانی فلزات کاربردی آلومینیوم، مس، قلع و نقره با روش تبخیر حرارتی با استفاده از روش المان محدود شبیهسازی و مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهد که نوع فلز بر روی ضخامت لایههای نازک تاثیر بسزایی دارد اما میزان یکنواختی ضخامت لایهها مستقل از این پارامتر است. همچنین بررسیها نشان داد که تغییر فشار باعث تغییر توزیع ضخامت میشود اما میزان یکنواختی ضخامت لایهها را تحت تاثیر قرار نمیدهد. همچنین نرخ لایهنشانی فلزات فوق در فشار 50 و 100 پاسکال ارائه شد.
https://donyayenano.ir/article_46128_c0527d05cc6d5b94f98af9b1e640d35c.pdf
2019-09-23
49
56
شبیه سازی
لایه نازک فلزی
تبخیر حرارتی
ضخامت لایه
جواد
علیپور زردکوهی
1
دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
AUTHOR
فاطمه
شریعتمدار طهرانی
2
دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
LEAD_AUTHOR
مریم
علیاننژادی
3
دانشکده فیزیک، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
AUTHOR
[1] J. Li et al., Optics express, 15)4(, 1939-
1
1945, (2007).
2
[2] M. Singh M, B. Sridhara, and T.
3
Shridhar, In Materials Science and
4
Engineering Conference Series,149(1),
5
012071-012080,( 2016).
6
[3] C. E. Kennedy, "Review of mid-to
7
high-temperature solar selective
8
absorber materials," National
9
Renewable Energy Lab., Golden,
10
CO.(US)2002.
11
[4] M. J. Kadhim, K. A. Sukkar, and A. S.
12
Abbas, Materials Science and
13
Engineering, 518)3( 032048-
14
032048,(2016).
15
[5] X. Xu et al., Science bulletin,
16
62(15)1074-1080, (2017).
17
[6] T. Ma, H. Ariga, S. Takakusagi, and K.
18
Asakura, Thin Solid Films, 646, 12-16,
19
[7] P. A. Pivovarov et al., physica status
20
solidi, (140), 1800685-1800690, 2019.
21
[8] A. Babayigit et al., Scientific Reports,
22
6(1), 2016-2223, (2016).
23
[9] S. Shao et al., Advanced Energy
24
Materials, 8 (4), 1702019-170228,
25
[10] T. B. Song, T. Yokoyama, S. Aramaki,
26
and M. G. Kanatzidis, ACS Energy
27
Letters, 2(4),897-903,(2017).
28
[11] Y. M. Lee, J. Park, B. D. Yu, S. Hong,
29
M.-C. Jung, and M. Nakamura, The
30
journal of physical chemistry letters,
31
9,( 9), 2293-2297, (2018).
32
[12] M. Hung, J. Genoe, P. Heremans, and
33
S. Steudel, Applied Physics Letters,
34
112(26), 263502-263512, (2018).
35
[13] T. Cai et al., ACS applied materials &
36
interfaces, 10(30), 25350-25359,
37
[14] T. Cai et al., Journal of colloid and
38
interface science, 533, 95-105, (2019).
39
[15] B. Li and T. Webster, Orthopedic
40
biomaterials: advances and
41
applications. Springer, (2018).
42
[16] L. Pauksch et al.,Acta
43
biomaterialia,(10)1, 439-449, (2014).
44
[17] X. Liu, K. Gan, H. Liu, X. Song, T.
45
Chen, and C. Liu, Dental Materials,
46
33(9), 348-360, (2017).
47
[18] S. Kim et al., Applied Surface Science,
48
451, 232-240, (2018).
49
[19] A. Gambardella et al., Applied Surface
50
Science, 475, 917-925, (2019).
51
[20] H. D. Espinosa and B. Prorok, Journal
52
of Materials Science, 38(20), 4125-
53
4128, (2003).
54
[21] C. Claassens, J. Terblans, M. Hoffman,
55
and H. Swart, Surface and Interface
56
Analysis, 37(11), 1021-1026, (2005).
57
[22] E. Chason and A. F. Bower, Journal of
58
Applied Physics, 125(11),115304-
59
115315, (2019).
60
[23] T. van Opstal and B. van der Linden,
61
"Modeling of Chemical Vapor
62
Deposition at the Pore-Scale Using
63
Finite Cell Method," (2019).
64
[24] M. Ohring, Materials science of thin
65
films. Elsevier, (2001).
66