@article { author = {کارخانه, عاطفه and علمداری, ساناز and جعفرتفرشی, مجید}, title = {}, journal = {Nano World}, volume = {14}, number = {50}, pages = {23-26}, year = {2018}, publisher = {}, issn = {2476-5945}, eissn = {2476-5945}, doi = {}, abstract = {}, keywords = {}, title_fa = {ساخت و بررسی خواص دی الکتریک سرامیک‌های اکسیدروی آلائیده به هافنیوم}, abstract_fa = {در این کار پژوهشی، برای اولین بار با تکنولوژی ساده سل ژل، اثر ناخالصی عنصر ارزان قیمت و غیرسمی هافنیوم بر روی خواص دی‌الکتریکی نانوذرات اکسیدروی بررسی شد و ثابت‌های دی‌الکتریک با بالاترین مرتبه به دست آمدند. ویژگی های ساختاری اکسیدروی آلایئده به هافنیوم با اندازه بلورک 0.5 تا 1 میکرومتر بررسی شد. این ساختارها با استفاده از پراش پرتوایکس XRD و میکروسکوپ الکترونی روبشی SEM و همچنین میکروسکوپ الکترونی عبوری TEM بررسی گردیدند. حضور هافنیوم توسط مشخصه‌یابیEDX در ساختار تایید شد. نتایج بدست آمده نشان دادند که سرامیکهای ZnO:Hf با بالاترین ثابت دی-الکتریک به دست آمده تا کنون ازمرتبه 1011 ، برای آینده نانو الکترونیک میتوانند بسیار امید بخش باشند.  }, keywords_fa = {اکسیدروی,هافنیوم,خواص دی‌الکتریک,سرامیک}, url = {https://donyayenano.ir/article_46072.html}, eprint = {https://donyayenano.ir/article_46072_7696da3b3bb5e5d4f181c8e3ea51463e.pdf} }